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作者:佚名    更新日期:2024-01-27

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[19377657959]cl离子腐蚀 - 氯腐蚀的原理是什么最好给出方程式,电化学腐蚀好象不需要氯离子参与 》》》 电化学腐蚀的原理主要是原电池的原理. 电化学腐蚀的原理见: 你说的:电镀前清... 还有去极化作用,cl-不仅促成了金属表面的腐蚀电池,而且加速了电池的作用.通常...

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[19377657959]cl什么意思啊网络用语 》》》 cl是cas latency的缩写,指的是cpu在接到读取某列内存地址上数据的指令后到实际开始读出数据所需的等待时间,1653cl=2指等待时间为2个cpu时钟周期,而cl=3则为3个cpu时钟周期.对今天的高速cpu而言,1个时钟周期的长度微乎其微.因此不论cl=2还是cl=3的内存,用户在实际使用中几乎是感觉不到性能差距的.而厂家在生产内存条时,不论cl=2还是cl=3,用的都是同样的原料和设备.只是在生产完成后检测时,挑出精度高的当cl=2的卖,精度相对低一些的则当cl=3的卖.实际上有不少被当作cl=3卖的内存条也可以在cl=2下工作.

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[19377657959]cl的非金属性比n强,怎么nh3能形成氢键而hcl不行?不是说氢 》》》 楼上的未免太“通俗”了些吧 这里要考虑电负性,即原子吸引成键电子的能力.n、f、o是电负性最高的三种元素,与氢成键时能强烈吸引共用电子对,使氢带上部分正电荷,于是能和孤对电子负电荷集中(要求半径小、电负性强)的其他原子(n、f、o)形成氢键.cl虽然电负性与n接近,但半径大(比n多了一层电子),所以只能形成很弱的氢键,可忽略.

[19377657959]内存条的cl值有什么用?怎么看cl值?高了好还是底了好? 》》》 cl :内存延迟时间 通常2可以达到更好的性能,3能提供更佳的稳定性 对于速度来说越小越好,不过可能会引起系统不稳定

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